常見(jiàn)問(wèn)題
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石英晶振SG-8002DB,可編程晶振,愛(ài)普生振蕩器,領(lǐng)先一步的市場(chǎng)質(zhì)量的石英晶體振蕩器,一個(gè)石英MEMS是任何高附加值石英裝置,利用了石英晶振的特點(diǎn)使用MEMS材料而產(chǎn)生的(微機(jī)電系統(tǒng))處理技術(shù).更小、更穩(wěn)定的晶體產(chǎn)品,超過(guò)市場(chǎng)的速度和質(zhì)量要求.石英裝置已成為至關(guān)重要的網(wǎng)絡(luò)環(huán)境中,產(chǎn)品正越來(lái)越多地用于寬帶,無(wú)處不在的應(yīng)用程序和各種類型的終端幾乎可以傳遞信息立即在全球范圍內(nèi)通過(guò)局域網(wǎng)和廣域網(wǎng).愛(ài)普生Toyocom公司地址在網(wǎng)絡(luò)環(huán)境的每一個(gè)方面.
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愛(ài)普生晶振參數(shù) | SG-8002DB | |
頻率范圍 | f0 | 1.0MHZ~125.0MHZ |
電源電壓 | VCC | 4.5 V to 5.5 V/2.7 V to 3.6 V |
儲(chǔ)存溫度 | T_stg | -55℃to +125°C |
工作溫度范圍 | T_use | -20℃to +70°C / -40℃to +85°C |
頻率公差 | f_tol | B:±50×10-6, C:±100×10-6, M:±100×10-6 |
電流消耗 | ICC | 48.0 mA Max. |
禁用當(dāng)前 | I_dis | 30mA Max. |
待機(jī)電流 | I_std | 50 μA Max. |
占空比 | SYM | 45% to 60%/45% to 55% |
高輸出電壓 | VOH | VCC -0.4 V Min. |
低輸出電壓 | VOL | 0.4 V Max. |
輸出負(fù)載條件(TTL)* 1 | L_TTL | 5 TTL Max. |
輸出負(fù)載條件(CMOS) |
L_CMOS | 25pF Max. |
靜止啟用 | VIH/VIL | 2.0VMin./0.8VMax. |
上升時(shí)間和下降時(shí)間 | tr/ tf | 4 ns Max. |
啟動(dòng)時(shí)間 | t_str | 10 ms Max. |
頻率老化 | f_aging | ±5 ×10-6 / year Max. |
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愛(ài)普生有董事會(huì)和審計(jì)和監(jiān)事會(huì).由董事會(huì),包括兩個(gè)外部董事,每月召開(kāi)一次,根據(jù)需要召開(kāi)特別會(huì)議.它使決定基本的管理政策,關(guān)鍵業(yè)務(wù)操作,期末結(jié)束,披露時(shí)間,和其他重要的問(wèn)題.創(chuàng)建了各種管理機(jī)構(gòu)建議總統(tǒng)或董事會(huì)、深思熟慮的問(wèn)題,促進(jìn)決策、執(zhí)行和監(jiān)督,增強(qiáng)的業(yè)務(wù).
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常溫電阻特性主要是中心值與穩(wěn)定性.電阻中心值與控制上限的距離與產(chǎn)品的合格率息息相關(guān),在測(cè)試系統(tǒng)中可以用平均值代替中心值,一般要求產(chǎn)品平均值是控制上限的50%左右.做制程改善時(shí)重點(diǎn)關(guān)注點(diǎn)膠與污染.芯片不良在電阻大這一不良項(xiàng)中出現(xiàn)次數(shù)會(huì)比較多,特別是新的芯片供貨商或開(kāi)發(fā)新頻點(diǎn)時(shí).
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