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更多>>愛普生常用尺寸3225mm的可編程振蕩器編碼X1G005591014500
來源:http://argentinapack.com 作者:kji 2022年09月06
愛普生常用尺寸3225mm的可編程振蕩器編碼X1G005591014500,隨著有源晶振在電子行業(yè)的地位步步高升,為電子產(chǎn)品發(fā)展貢獻出極大的力量,同時也讓人們感受到晶體對于當下市場的需求量劇增,與此同時也將迎來了新的變革,那么,有源晶振對于電子產(chǎn)品是否真的是不可或缺的存在呢,通過自身的探索可得知,兩者之間是相輔相成,互相關聯(lián)的存在,而市場對于電子元器件的需求量也大大說明了,很多產(chǎn)品之間的相關性,只有相互依存才能走得更加遠,而有源晶振的小知識,也值得我們學習起來。

愛普生常用尺寸3225mm的可編程振蕩器編碼X1G005591014500
1.可以減少諧波,有源晶體輸出的是方波,這將引起諧波干擾,尤其是阻抗嚴重不匹配的情況下,加上電阻后,該電阻將與輸入電容構成RC積分平滑電路,將方波轉(zhuǎn)換為近似正弦波,雖然信號的完整性受到一定影響,但由于該信號還要經(jīng)過后級放大、整形后才作為時鐘信號,因此,性能并不受影響,該電阻的大小需要根據(jù)輸入端的阻抗、輸入等效電容,石英晶體振蕩器,有源晶體的輸出阻抗等因素選擇。
2.可以進行阻抗匹配,減小回波干擾及導致的信號過沖。我們知道,只要阻抗不匹配,都會產(chǎn)生信號反射,即回波,有源晶體的輸出阻抗通常都很低,一般在幾百歐以下,而信號源的輸入端在芯片內(nèi)部結(jié)構上通常是運放的輸入端,由芯片的內(nèi)部電路與外部的無源石英晶體構成諧振電路(使用有源晶體后就不需要這個晶體了),這個運放的輸出阻抗都在兆歐以上。
愛普生很高興宣布推出了SG-8018CE晶振,愛普生普通有源晶振編碼X1G005591014500,頻率25.000000兆赫,輸出WaveCMOS,供電電壓1.62至3.63 V,尺寸(長×寬×高)3.20 × 2.50 × 1.20毫米,工作溫度-40到+105°C,頻率公差±50ppm,額外的OptionsN /,OSC TypeProgrammable Clock時鐘OSC,該振蕩器也將在以下流行的封裝尺寸:3.2 × 2.5 mm, 5.0 × 3.2 mm和7.0 × 5.0 mm。SG-8018系列振蕩器的頻率容忍度約為66%比同類產(chǎn)品低50%的電流消耗,適用范圍廣環(huán)境條件.

愛普生常用尺寸3225mm的可編程振蕩器編碼X1G005591014500
1.可以減少諧波,有源晶體輸出的是方波,這將引起諧波干擾,尤其是阻抗嚴重不匹配的情況下,加上電阻后,該電阻將與輸入電容構成RC積分平滑電路,將方波轉(zhuǎn)換為近似正弦波,雖然信號的完整性受到一定影響,但由于該信號還要經(jīng)過后級放大、整形后才作為時鐘信號,因此,性能并不受影響,該電阻的大小需要根據(jù)輸入端的阻抗、輸入等效電容,石英晶體振蕩器,有源晶體的輸出阻抗等因素選擇。
2.可以進行阻抗匹配,減小回波干擾及導致的信號過沖。我們知道,只要阻抗不匹配,都會產(chǎn)生信號反射,即回波,有源晶體的輸出阻抗通常都很低,一般在幾百歐以下,而信號源的輸入端在芯片內(nèi)部結(jié)構上通常是運放的輸入端,由芯片的內(nèi)部電路與外部的無源石英晶體構成諧振電路(使用有源晶體后就不需要這個晶體了),這個運放的輸出阻抗都在兆歐以上。
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X1G005591011200 | SG-8018CE | 97.174000 MHz | 3.20 x 2.50 x 1.20 mm | CMOS | 1.620 to 3.630 V | -40 to 105 °C | +/-50 ppm | ≤ 5.9 mA |
X1G005591011300 | SG-8018CE | 15.625000 MHz | 3.20 x 2.50 x 1.20 mm | CMOS | 1.620 to 3.630 V | -40 to 105 °C | +/-50 ppm | ≤ 3.5 mA |
X1G005591011400 | SG-8018CE | 1.228800 MHz | 3.20 x 2.50 x 1.20 mm | CMOS | 1.620 to 3.630 V | -40 to 105 °C | +/-50 ppm | ≤ 3.5 mA |
X1G005591011500 | SG-8018CE | 45.000000 MHz | 3.20 x 2.50 x 1.20 mm | CMOS | 1.620 to 3.630 V | -40 to 105 °C | +/-50 ppm | ≤ 4.4 mA |
X1G005591011600 | SG-8018CE | 28.636360 MHz | 3.20 x 2.50 x 1.20 mm | CMOS | 1.620 to 3.630 V | -40 to 105 °C | +/-50 ppm | ≤ 4.4 mA |
X1G005591011700 | SG-8018CE | 64.000000 MHz | 3.20 x 2.50 x 1.20 mm | CMOS | 1.620 to 3.630 V | -40 to 105 °C | +/-50 ppm | ≤ 5.2 mA |
X1G005591011800 | SG-8018CE | 81.000000 MHz | 3.20 x 2.50 x 1.20 mm | CMOS | 1.620 to 3.630 V | -40 to 105 °C | +/-50 ppm | ≤ 5.9 mA |
X1G005591011900 | SG-8018CE | 31.359600 MHz | 3.20 x 2.50 x 1.20 mm | CMOS | 1.620 to 3.630 V | -40 to 105 °C | +/-50 ppm | ≤ 4.4 mA |
X1G005591012000 | SG-8018CE | 9.830400 MHz | 3.20 x 2.50 x 1.20 mm | CMOS | 1.620 to 3.630 V | -40 to 105 °C | +/-50 ppm | ≤ 3.5 mA |
X1G005591012100 | SG-8018CE | 9.000000 MHz | 3.20 x 2.50 x 1.20 mm | CMOS | 1.620 to 3.630 V | -40 to 105 °C | +/-50 ppm | ≤ 3.5 mA |
X1G005591012200 | SG-8018CE | 2.097000 MHz | 3.20 x 2.50 x 1.20 mm | CMOS | 1.620 to 3.630 V | -40 to 105 °C | +/-50 ppm | ≤ 3.5 mA |
X1G005591012300 | SG-8018CE | 6.000000 MHz | 3.20 x 2.50 x 1.20 mm | CMOS | 1.620 to 3.630 V | -40 to 105 °C | +/-50 ppm | ≤ 3.5 mA |
X1G005591012400 | SG-8018CE | 11.059200 MHz | 3.20 x 2.50 x 1.20 mm | CMOS | 1.620 to 3.630 V | -40 to 105 °C | +/-50 ppm | ≤ 3.5 mA |
X1G005591012500 | SG-8018CE | 15.000000 MHz | 3.20 x 2.50 x 1.20 mm | CMOS | 1.620 to 3.630 V | -40 to 105 °C | +/-50 ppm | ≤ 3.5 mA |
X1G005591012600 | SG-8018CE | 148.351500 MHz | 3.20 x 2.50 x 1.20 mm | CMOS | 1.620 to 3.630 V | -40 to 105 °C | +/-50 ppm | ≤ 8.1 mA |
X1G005591013000 | SG-8018CE | 2.000000 MHz | 3.20 x 2.50 x 1.20 mm | CMOS | 1.620 to 3.630 V | -40 to 105 °C | +/-50 ppm | ≤ 3.5 mA |
X1G005591013100 | SG-8018CE | 33.330000 MHz | 3.20 x 2.50 x 1.20 mm | CMOS | 1.620 to 3.630 V | -40 to 105 °C | +/-50 ppm | ≤ 4.4 mA |
X1G005591013200 | SG-8018CE | 3.428000 MHz | 3.20 x 2.50 x 1.20 mm | CMOS | 1.620 to 3.630 V | -40 to 105 °C | +/-50 ppm | ≤ 3.5 mA |
X1G005591013300 | SG-8018CE | 18.400000 MHz | 3.20 x 2.50 x 1.20 mm | CMOS | 1.620 to 3.630 V | -40 to 105 °C | +/-50 ppm | ≤ 3.5 mA |
X1G005591013800 | SG-8018CE | 19.968000 MHz | 3.20 x 2.50 x 1.20 mm | CMOS | 1.620 to 3.630 V | -40 to 105 °C | +/-50 ppm | ≤ 3.5 mA |
X1G005591014000 | SG-8018CE | 4.096000 MHz | 3.20 x 2.50 x 1.20 mm | CMOS | 1.620 to 3.630 V | -40 to 105 °C | +/-50 ppm | ≤ 3.5 mA |
X1G005591014100 | SG-8018CE | 66.666700 MHz | 3.20 x 2.50 x 1.20 mm | CMOS | 1.620 to 3.630 V | -40 to 105 °C | +/-50 ppm | ≤ 5.2 mA |
X1G005591014200 | SG-8018CE | 9.984000 MHz | 3.20 x 2.50 x 1.20 mm | CMOS | 1.620 to 3.630 V | -40 to 105 °C | +/-50 ppm | ≤ 3.5 mA |
X1G005591014300 | SG-8018CE | 9.216000 MHz | 3.20 x 2.50 x 1.20 mm | CMOS | 1.620 to 3.630 V | -40 to 105 °C | +/-50 ppm | ≤ 3.5 mA |
X1G005591014400 | SG-8018CE | 6.144000 MHz | 3.20 x 2.50 x 1.20 mm | CMOS | 1.620 to 3.630 V | -40 to 105 °C | +/-50 ppm | ≤ 3.5 mA |
X1G005591014500 | SG-8018CE | 7.987500 MHz | 3.20 x 2.50 x 1.20 mm | CMOS | 1.620 to 3.630 V | -40 to 105 °C | +/-50 ppm | ≤ 3.5 mA |
X1G005591014600 | SG-8018CE | 25.000000 MHz | 3.20 x 2.50 x 1.20 mm | CMOS | 1.620 to 3.630 V | -40 to 105 °C | +/-50 ppm | ≤ 4.4 mA |
X1G005591014700 | SG-8018CE | 9.984000 MHz | 3.20 x 2.50 x 1.20 mm | CMOS | 1.620 to 3.630 V | -40 to 105 °C | +/-50 ppm | ≤ 3.5 mA |
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